本发明提供成膜装置和成膜方法。该成膜装置使旋转台旋转而使BTBAS气体吸附在晶圆(W)上,接着,向晶圆(W)的表面供给O
1.一种成膜装置,该成膜装置在真空容器内按顺序向基板的表面供给互相反应的至少两种反应气体,而且,通过执行该供给循环来层叠多个反应生成物的层,从而形成薄膜,其特征在于,包括:工作台,其设置在上述真空容器内,具有用于载置基板的基板载置区域;第一反应气体供给部,其用于向该工作台上的上述基板供给第一反应气体;第二反应气体供给部,其用于向该工作台上的上述基板供给第二反应气体;激光照射部,其与上述基板载置区域相对地设置,用于向上述基板载置区域的靠上述工作台中心侧的端部和靠上述工作台外周侧的端部之间的局部区域照射激光,用于在上述基板上使第一反应气体的成分与第二反应气体的成分反应而生成反应生成物;旋转机构,其用于使上述第一反应气体供给部、上述第二反应气体供给部及上述激光照射部相对于上述工作台相对旋转;真空排气部,其用于对上述真空容器内进行排气;分离区域,其具有分别在上述工作台的圆周方向上设在被供给上述第一反应气体的第一处理区域和被供给上述第二反应气体的第二处理区域之间且用于供给分离气体的分离气体供给部,并且具有设在该分离气体供给部的上述工作台的圆周方向两侧的、且比上述第一处理区域和上述第二处理区域的顶面低的、与上述工作台之间形成狭窄的空间的顶面,用于分离被供给上述第一反应气体的第一处理区域和被供给上述第二反应气体的第二处理区域的气氛;中心部区域,其位于上述真空容器内的中心部并形成有向上述工作台的基板载置面侧喷出分离气体的喷出孔,用于分离上述第一处理区域和上述第二处理区域的气氛;第一排气口,其在俯视时位于上述第一处理区域与通过上述旋转机构的相对旋转、该第一处理区域的下游一个上述基板载置区域所在的分离区域之间、且在比上述工作台的上表面低的位置处形成在比上述工作台的外周端靠外侧,用于将上述分离气体以及上述第一反应气体从上述真空容器中排出;第二排气口,其在俯视时在上述第二处理区域与通过上述旋转机构的相对旋转、该第二处理区域的下游一个上述基板载置区域所在的分离区域之间、且比上述工作台的上表面低的位置处形成在比上述工作台的外周端靠外侧,用于将上述分离气体以及上述第二反应气体从上述真空容器中排出;上述第一反应气体供给部、上述第二反应气体供给部及上述激光照射部配置为,在上述相对旋转时,基板按顺序位于第一处理区域、第二处理区域及被照射上述激光的照射区域,上述照射区域配置在上述第二处理区域与通过上述旋转机构的相对旋转、该第二处理区域的下游一个上述基板载置区域所在的分离区域之间,上述狭窄的空间的压力设为比上述第一处理区域和上述第二处理区域的压力高。
2.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,上述激光照射部用于放射出具有能够使上述基板升温的波长的激光,使该激光的照射区域局部升温。
3.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,上述激光照射部用于放射出具有能够使由上述第一反应气体与上述第二反应气体反应而成的生成物改性的波长的激光。
4.一种成膜方法,该成膜方法在真空容器内按顺序向基板的表面供给互相反应的至少两种反应气体,而且,通过执行该供给循环来层叠多个反应生成物的层,从而形成薄膜,其特征在于,包括以下工序:在设置于真空容器内的工作台的基板载置区域中载置基板;对上述真空容器内进行真空排气;使第一反应气体供给部、第二反应气体供给部及激光照射部相对于上述工作台相对旋转;自上述第一反应气体供给部向上述工作台上的基板供给第一反应气体;自上述第二反应气体供给部向上述工作台上的基板供给第二反应气体;自上述激光照射部向上述基板的靠上述工作台中心侧的端部和靠上述工作台外周侧的端部之间的局部区域照射激光,从而在上述基板上使第一反应气体的成分与第二反应气体的成分反应而生成反应生成物;在上述工作台的圆周方向上被供给第一反应气体的第一处理区域和被供给第二反应气体的第二处理区域之间,对形成在上述真空容器的顶面与上述工作台之间的狭窄的空间供给分离气体,将上述狭窄的空间的压力设定为高于上述第一处理区域和上述第二处理区域的压力,从而将这些处理区域彼此的气氛相互分离;在位于上述真空容器内的中心部位置的中心部区域向上述工作台的基板载置面侧喷出分离气体,将上述第一处理区域与上述第二处理区域间的气氛分离;自第一排气口将上述分离气体和上述第一反应气体从上述真空容器中排出,该第一排气口在俯视时位于上述第一处理区域与通过上述旋转机构的相对旋转、该第一处理区域的下游一个上述基板载置区域所在的分离区域之间、且在比上述工作台的上表面低的位置处形成在比上述工作台的外周端靠外侧;自第二排气口将上述分离气体和上述第二反应气体从上述真空容器中排出,该第二排气口在俯视时位于上述第二处理区域与通过上述旋转机构的相对旋转、该第二处理区域的下游一个上述基板载置区域所在的分离区域之间、且在比上述工作台的上表面低的位置处形成在比上述工作台的外周端靠外侧。
5.根据权利要求4所述的成膜方法,其特征在于,照射激光的工序包括如下工序:放射出具有能够使上述基板升温的波长的激光,使该激光的照射区域局部升温。
6.根据权利要求4所述的成膜方法,其特征在于,照射激光的工序包括如下工序:放射出具有能够使由上述第一反应气体与上述第二反应气体反应而成的生成物改性的波长的激光。
7.根据权利要求4所述的成膜方法,其特征在于,还包括如下工序:自分离气体供给部向在上述工作台的相对旋转方向上分别设置在被供给上述第一反应气体的第一处理区域和被供给上述第二反应气体的第二处理区域之间的分离区域供给分离气体,以使上述第一处理区域和上述第二处理区域的气氛分离。技术领域
本发明涉及一种使工作台上的基板和反应气体供给部相对地公转、将至少两种反应气体按顺序供给到基板来进行成膜处理的成膜装置、成膜方法及存储介质。xa0背景技术作为用于实施半导体制造处理之一的、在真空气氛下利用反应气体在基板上成膜的方法的装置,公知有这样的成膜装置:将多个半导体晶圆等基板载置在载置台上,一边使基板相对于反应气体供给部进行相对公转、一边进行成膜处理。在专利文献1~3中记载有这种所谓的小批次(minixa0batch)方式的成膜装置,该成膜装置例如自反应气体供给部向基板供给多种反应气体,并且,在分别供给有这些多种反应气体的区域之间,要么设置例如物理的隔离壁,要么将惰性气体作为空气帘喷出,使这些多种反应气体不互相混合地来进行成膜处理。于是,使用该成膜装置,进行将第一反应气体、第二反应气体交替供给到基板来层叠原子层或分子层的例如ALD(Atomicxa0Layerxa0Deposition)、MLD(Molecularxa0Layerxa0Deposition)处理等。xa0在该成膜装置中,在加热被载置于载置台上的多片基板的过程中,例如通过加热整个载置台来一次加热上述多个基板。因此,需要大型且高输出的加热器,因此,导致装置的消耗能量变大。另外,如果加热器大型化,来自加热器的辐射热量会导致真空容器内的气氛和整个装置温度升高,因此,需要用于冷却真空容器和整个装置的冷却机构,使得装置构造复杂化。xa0并且,在利用上述ALD(MLD)法进行薄膜的成膜时,由于成膜温度较低,因此,例如存在包含于反应气体中的有机物、水分等杂质混入到薄膜中的情况。为了将此种杂质从膜中排出到外部而形成致密且无杂质的薄膜,需要对基板进行例如以几百°C左右加热的退火处理(热处理)等后续处理。在层叠了薄膜之后进行该后处理的话,工序增多,因此导致成本增加。xa0例如在专利文献1及专利文献4中,作为加热晶圆的方法记载有使用激光的技术,但未涉及具体的装置结构。xa0专利文献1:美国专利公报7,153,542号:图8(a)、图8(b)xa0专利文献2:日本专利3144664号公报:图1、图2、权利要求1xa0专利文献3:美国专利公报6,634、314号xa0专利文献4:日本特开2006-229075号xa0
发明内容
本发明即是鉴于该情况而做成的,其目的在于提供成膜装置、成膜方法及存储介质,该成膜装置、成膜方法及存储介质在使工作台上的基板和反应气体供给部相对地公转并按顺序向基板供给至少两种反应气体来进行成膜处理的过程中,能够将用于生成反应生成物的消耗能量抑制得较小。xa0根据本发明的第一技术方案,提供一种成膜装置,在真空容器内按顺序向基板的表面供给互相反应的至少两种反应气体,而且,通过执行该供给循环来层叠多个反应生成物的层,从而形成薄膜。该成膜装置包括:工作台,其设置在上述真空容器内,具有用于载置基板的基板载置区域;第一反应气体供给部,其用于向该工作台上的上述基板供给第一反应气体;第二反应气体供给部,其用于向该工作台上的上述基板供给第二反应气体;激光照xa0射部,其设置为与上述基板载置区域相对,且用于对在上述基板载置区域上的基板中的靠上述工作台中心侧的端部与靠上述工作台外周侧的端部之间的局部区域照射激光,该激光照射部用于在上述基板上使第一反应气体的成分与第二反应气体的成分发生反应,生成反应生成物;旋转机构,其使上述第一反应气体供给部、上述第二反应气体供给部及上述激光照射部相对于上述工作台相对旋转;真空排气部件,其用于对上述真空容器内进行排气;上述第一反应气体供给部、上述第二反应气体供给部及上述激光照射部配置为,在上述相对旋转时,基板按顺序位于供给有上述第一反应气体的第一处理区域、供给有上述第二反应气体的第二处理区域及照射有上述激光的照射区域。xa0根据本发明的第二技术方案,提供一种成膜方法,在真空容器内按顺序向基板的表面供给互相反应的至少两种反应气体,而且,通过执行该供给循环来层叠多个反应生成物的层,从而形成薄膜。该成膜方法包括以下工序:在设置于真空容器内的工作台的基板载置区域中载置基板;将上述真空容器内排气成真空;使第一反应气体供给部、第二反应气体供给部及激光照射部相对于上述平板相对旋转;从上述第一反应气体供给部向上述工作台上的基板供给第一反应气体;从上述第二反应气体供给部向上述工作台上的基板供给第二反应气体;从上述激光照射部向上述基板中的靠上述工作台中心侧的端部与靠上述工作台外周侧的端部之间的局部区域照射激光。xa0根据本发明的第三技术方案,提供一种存储介质,该存储介质容纳有成膜装置所采用的计算机程序,该成膜装置在真空容器内按顺序向基板的表面供给互相反应的至少两种反应气体,而且,通过执行该供给循环来层叠多个反应生成物的层,从而形成薄膜。在上述计算机程序中,为了实施上述任一项技术方案所述的成膜xa0方法而编入有步骤。xa0
附图说明
图1是表示本发明的实施方式的成膜装置的纵剖面的图3中的I-I’纵剖视图。xa0图2是表示上述成膜装置的内部的概略结构的立体图。xa0图3是上述成膜装置的横剖俯视图。xa0图4是表示上述成膜装置的处理区域及分离区域的纵剖视图。xa0图5是表示本发明的激光照射部的一个例子的成膜装置的纵剖视图。xa0图6是表示在上述成膜装置中照射的激光的照射能量密度与晶圆温度的关系的一个例子的特性图。xa0图7是示意地表示利用上述激光照射部照射激光的照射区域的俯视图。xa0图8是表示分离气体或者吹扫气的流动情形的说明图。xa0图9是示意地表示在本发明中生成反应生成物的情形的示意图。xa0图10是表示第一反应气体和第二反应气体被分离气体分离而进行排气的情形的说明图。xa0图11是表示本发明的另一实施方式的成膜装置的纵剖视图。xa0图12是用于说明分离区域所采用的凸状部的尺寸例的说明图。xa0图13是表示本发明的另一实施方式的成膜装置的纵剖视图。xa0
具体实施方式
采用本发明的实施方式的成膜装置,设有激光照射部,在使工作台上的基板和反应气体供给部相对地公转,并按顺序向基板供给至少两种反应气体而进行成膜处理的过程中,该激光照射部以与工作台上的基板载置区域相对的方式,向上述基板载置区域上的基板中的靠上述工作台中心侧的端部和靠上述工作台外周侧的端部之间以带状照射激光,以在基板上生成反应生成物,并且能够使该激光照射部与反应气体供给部一同相对于工作台上的基板相对地公转。由此,基板的表面在激光照射部的下方区域中被迅速地被加热,因此,能够将用于生成反应生成物的消耗能量抑制得较小。另外,利用该激光照射部,可以替代生成反应生成物,或者在生成反应生成物的同时使在基板上生成的反应生成物改性,从而能够得到致密且无杂质的薄膜。xa0如图1(沿着图3中的I-I’的剖视图)~图3所示,本发明的实施方式的成膜装置包括平面形状为大致圆形的扁平的真空容器1、及设置在该真空容器1内的旋转台2,该旋转台2具有位于该真空容器1的中心的旋转中心。真空容器1构成为顶板11能够自容器主体12分离。顶板11隔着设置在容器主体12的上端面的密封构件、例如O形密封圈13而被载置于容器主体12上。真空容器1内被减压后,顶板11被向容器主体12按压,从而借助O形密封圈13能够更加可靠地保持顶板11与容器主体12之间的气密。只是,在需要使顶板11自容器主体12分离时,利用未图示的驱动机构将顶板11向上方抬起。xa0旋转台2从其中心部固定于圆筒形状的芯部21,该芯部21固定在沿铅垂方向延伸的旋转轴22的上端。旋转轴22贯穿真空容器1的底部14,其下端安装于用于使该旋转轴22绕铅垂轴线、在本例子中是向顺时针方向旋转的驱动部23。旋转轴22及驱动部23xa0容纳在上表面开口的筒状的壳体20内。该壳体20的设置成其上表面的凸缘部分气密地安装于真空容器1的底部14的下表面,从而维持壳体20的内部气氛与外部气氛的气密状态。xa0如图2及图3所示,在旋转台2的表面部,沿着旋转方向(圆周方向)设有圆形的凹部24,该凹部24用于载置多片例如5片半导体晶圆(以下称作“晶圆”)W,即基板。另外,为了方便起见,图3中仅在一个凹部24上画有晶圆W。图4是将旋转台2沿着同心圆剖切的剖视图。如图4(a)所示,凹部24的直径稍稍大于晶圆W的直径、例如大出4mm,而且,其深度被设定为与晶圆W的深度相等的尺寸。因而,在将晶圆W载置于凹部24时,晶圆W的表面与旋转台2的表面(未载置晶圆W的区域)齐平。在晶圆W的表面与旋转台2的表面之间的高度差较大时,在该台阶部分气体的流动紊乱,因此,从使膜厚的平面平整性一致的方面考虑,优选使晶圆W的表面与旋转台2的表面的高度齐平。使晶圆W的表面与旋转台2的表面的高度齐平是指相同的高度或者两个面的高度差在5mm以内,优选与加工精度等相应地使两个面的高度差尽可能接近零。在凹部24的底面形成有供例如后述的三根升降销贯穿的贯穿孔(未图示),该升降销用于支承晶圆W的背面而使该晶圆W升降。xa0凹部24用于对晶圆W定位,使其不会因随着旋转台2的旋转产生的离心力飞出,凹部24是相当于本发明的基板载置区域的部位。但是,基板载置区域(晶圆载置区域)并不限定为凹部,例如也可以是在旋转台2的表面沿着晶圆W的圆周方向排列多个用于引导晶圆W周缘的引导构件而成的结构。并且,在旋转台2侧借助静电吸盘等吸盘机构来吸附晶圆W时,利用该吸附而用于载置晶圆W的区域成为基板载置区域。xa0如图2及图3所示,在分别与旋转台2的凹部24的通过区域相xa0对的位置,例如由石英构成的第一反应气体喷嘴31和第二反应气体喷嘴32、及两根分离气体喷嘴41、42彼此沿真空容器1的圆周方向(旋转台2的旋转方向)互相空开间隔地作为气体供给部以放射状配置。在本例子中,从后述的输送口15看,分离气体喷嘴41、第一反应气体喷嘴31、分离气体喷嘴42及第二反应气体喷嘴32按照该顺序沿顺时针方向(旋转台2的旋转方向)排列,这些喷嘴31、32、41、42例如以从真空容器1的外周壁朝向旋转台2的旋转中心与晶圆W相对地水平延伸的方式安装成线状。作为各喷嘴31、32、41、42的基端部的气体导入口31a、32a、41a、42a贯穿真空容器1的外周壁。反应气体喷嘴31作为第一反应气体供给部起作用,反应气体喷嘴32作为第二反应气体供给部起作用,分离气体喷嘴41、42分别作为分离气体供给部起作用。在该第二反应气体喷嘴32与沿旋转台2的旋转方向位于第二反应气体喷嘴32下游侧的分离气体喷嘴41(详细地讲是设有分离气体喷嘴41的后述的分离区域D中的沿旋转台2的旋转方向的上游边缘)之间形成有照射区域P3,该照射区域P3被用于自设置于顶板11上方的后述的激光照射部201对晶圆W照射激光,该激光照射部201和照射区域P3之后详细说明。xa0在图示的例子中,反应气体喷嘴31、32及分离气体喷嘴41、42被从真空容器1的周壁部导入到真空容器1内,但它们也可被以从后述的环形的突出部5导入。在这种情况下,采用这样的结构:设置在突出部5的外周面和顶板11的外表面开口的L字形导管,在真空容器1内将反应气体喷嘴31(反应气体喷嘴32、分离气体喷嘴41、42)连接于L字形导管的一个开口,在真空容器1的外部将气体导入口31a(32a、41a、42a)连接于L字形导管的另一个开口。xa0第一反应气体喷嘴31经由未图示的流量调整阀与作为第一xa0反应气体的BTBAS(双叔丁基氨基硅烷、SiH₂(NH-C(CH₃)₃)2)气体的气体供给源(未图示)连接。第二反应气体喷嘴32经由未图示的流量调整阀与作为第二反应气体的O₃(臭氧)气体的气体供给源(未图示)连接。分离气体喷嘴41、42均经由流量调整阀等与作为分离气体的N₂气体(氮气)的气体供给源(未图示)连接。xa0在第一、第二反应气体喷嘴31、32中,设置有用于向下方侧喷出反应气体的、例如口径为0.5mm的气体喷出孔33,气体喷出孔33朝向正下方,在喷嘴的长度方向上气体喷出孔33彼此隔开例如10mm的间隔地等间隔排列。而且,在分离气体喷嘴41、42上,设置有用于向下方侧喷出分离气体的、例如口径为0.5mm的气体喷出孔40,气体喷出孔40朝向正下方,在喷嘴长度方向上,气体喷出孔40彼此隔开例如10mm左右的间隔地穿设。各反应气体喷嘴31、32的气体喷出孔33与晶圆W之间的距离例如为1~4mm,优选为2mm,分离气体喷嘴41、42的气体喷出孔40与晶圆W之间的距离例如为1~4mm,优选为3mm。反应气体喷嘴31、32的下方区域分别成用于将BTBAS气体吸附于晶圆W的第一处理区域P1、及用于将O3吸附于晶圆W的第二处理区域P2。xa0分离气体喷嘴41、42用于形成将上述第一处理区域P1和第二处理区域P2分离开的分离区域D,如图2~图4所示,在该分离区域D中的真空容器1的顶板11中设有平面形状为顶部被切割为圆弧形的扇形且向下方突出的凸状部4。该凸状部4的内圆弧与突出部5(后述)连结,其外圆弧沿真空容器1的容器主体12的内周面配置。分离气体喷嘴41、42容纳在槽部43内,该槽部43以在该凸状部4的圆周方向中央沿该圆的半径方向延伸的方式形成。即,从分离气体喷嘴41、42的中心轴线到作为凸状部4的扇形的两缘(旋转方向上游侧的缘及下游侧的缘)的距离被设定为相同的长xa0度。xa0另外,槽部43在本实施方式中形成为将凸状部4二等分,但在其他实施方式中,例如也可以以如下方式形成槽部43,即,从槽部43看,凸状部4中的旋转台2的旋转方向上游侧比上述旋转方向下游侧宽。xa0因而,在分离气体喷嘴41、42的圆周方向两侧存在作为凸状部4的下表面的例如平坦的较低的顶面44(第一顶面),在该顶面44的圆周方向两侧存在比该顶面44高的顶面45(第二顶面)。该凸状部4的作用在于形成作为分离空间起作用的比旋转台2周向长度小的狭窄空间,由此,阻止第一反应气体及第二反应气体的进入,从而阻止这些反应气体混合。xa0即,以分离气体喷嘴41为例,阻止O₃气体从旋转台2的旋转方向上游侧进入,而且阻止BTBAS气体从旋转方向下游侧进入。“阻止气体进入”的意思是指,自分离气体喷嘴41喷出的作为分离气体的N₂气体扩散到第一顶面44与旋转台2的表面之间,在该例子中是喷出到与该第一顶面44相邻的第二顶面45的下方侧空间中,由此,来自该相邻空间的气体无法进入。而且,“气体无法进入”的意思并不仅是指从相邻空间完全无法进入到凸状部4的下方侧空间的情况,也是指如下情况,即,虽然进入一些,但是能确保分别从两侧进入的O₃气体及BTBAS气体在凸状部4内不会混合的状态,只要能获得这样的作用,就能够发挥分离区域D的作用、即分离第一处理区域P1的气氛和第二处理区域P2的气氛的分离作用。因而,狭窄空间的狭窄程度被设定为狭窄空间(凸状部4的下方空间)和与该空间相邻的区域(该例子中是第二顶面45的下方空间)之间的压力差为能够确保“气体无法进入”作用的程度的大小,其具体的尺寸因凸状部4的面积等不同而有所不同。另外,吸附于晶圆W的气体当然能够在分离区域D内通过,xa0阻止气体进入是指气相中的气体无法进入到凸状部4的下方空间的意思。xa0接着,说明上述激光照射部201。该激光照射部201的设置目的在于,通过向旋转台2上的晶圆W照射激光来瞬间加热晶圆W的表面。如图2及图3所示,激光照射部201位于第二反应气体喷嘴32与旋转台2的旋转方向上的第二反应气体喷嘴32下游侧的分离区域D之间。并且,激光照射部201与旋转台2平行地配置在顶板11上。另外,如图5所示,激光照射部201包括光源202和光学构件203;上述光源202从真空容器1的外缘侧朝向真空容器1的中心部(旋转台2的旋转中心)侧沿水平方向(横向)照射上述激光;上述光学构件203用于使从该光源202照射来的激光的光路朝向下方侧弯曲,并且使上述从该光源202照射来的激光的光路在晶圆W的整个直径方向上、即凹部24中的旋转台2中心侧的端部和外周侧的端部之间以带状(线状)扩散。另外,在上述图2中,为了表示上述激光照射部201与第二反应气体喷嘴32及分离区域D的位置关系,省略了顶板11,而且,在图1及图2中,简略化了激光照射部201。xa0光源202构成为,利用从上述图3所示的电源204供给来的例如17J/cm²~100J/cm²的照射能量密度,向晶圆W照射从紫外区域至红外区域的波长的激光(该例子中是具有808nm的波长的激光),能够将晶圆W的表面瞬间加热到例如200°C~1200°C。光源202既可以为气体激光装置,也可以为半导体激光装置。xa0对从该光源202照射来的激光的照射能量密度进行说明,激光照射能量密度[J/cm2]用电力密度[W/cm2]与照射时间[sec]的乘积来表示。在将激光的电力设为P[W]、激光的照射区域(后述的照射区域Pxa03)的面积设为S[cm2]时,电力密度为P/S。另外,照射时间用照射区域的弧长和旋转台2的圆周速度(与旋转xa0台2的转速成正比的值)来表示,在将该弧长设为l[cm]、旋转台2的半径设为r(cm)、旋转台2的转速设为N[rpm]时,照射时间为60l/(2пrN)。因而,上述照射能量密度实际上是考虑到制程程序、装置的尺寸来设定的。另外,如图6所示,预测到激光的照射能量密度与晶圆W的表面温度成正比关系,因此,在所述的照射能量范围下,能够将晶圆W的表面温度设定为规定的温度。xa0光学构件203例如包括分束器、凸或凹的圆柱透镜、以及使激光的光路平行(准直)的透镜等,在旋转台2的半径方向上,能够在凹部24的靠旋转台2的旋转中心侧的内缘和靠旋转台2的外周侧的外缘之间的带状(矩形状)区域(照射区域P3)扩宽激光的光路而照射激光。此外,照射区域P3在旋转台2的周向上具有规定的宽度,如图7所示,并不是旋转台2的整个上表面,而是占据局部区域。此时,从旋转台2的内周侧越朝向外周侧,旋转台2的圆周速度越快,因此,为了使激光对晶圆W的照射时间从旋转台2的内周侧到外周侧一致,照射区域P3的宽度尺寸t从旋转台2的内周侧越朝向外周侧越扩大,例如照射区域P3具有梯形形状。具体地讲,凹部24中的旋转台2的内周侧的宽度尺寸ti被设定为100mm,旋转台2的外周侧的宽度尺寸to被设定为300mm。另外,在图7中,对上述照射区域P3标注斜线。而且,在该图7中,除旋转台2之外的构件省略描画。xa0并且,如图3~图5所示,为了使从激光照射部201照射来的激光从旋转台2的内周侧到外周侧地到达真空容器1内,在激光照射部201的下方的顶板11中形成有矩形的开口部205。另外,开口部205的开口尺寸例如为上端侧比下端侧大。在该开口部205中气密地嵌入由石英构成的透明窗206。具体来说,在透明窗206的周围的下表面与顶板11之间设有密封构件207。另外,为了确保上述激光的照射区域P,该开口部205及透明窗206形成为与照射区xa0域P相同程度的尺寸。即,开口部205和透明窗206在旋转台2的内周侧的宽度尺寸ti约为100mm,在旋转台2的外周侧的宽度尺寸to约为300mm。xa0在本实施方式中,载置于凹部24的晶圆W的直径为300mm。在这种情况下,所述凸状部4在自旋转台2的旋转中心向外周侧离开140mm的部位(与后述的突出部5相交界的边界部位),其圆周方向长度(与旋转台2的同心圆的圆弧长度)例如为146mm,在晶圆W的载置区域(凹部24)的最外侧部位,其圆周方向长度例如为502mm。另外,在该外侧部位,自分离气体喷嘴41(42)的两侧分别位于左右的凸状部4的圆周方向长度为246mm。xa0另外,如图4(a)所示,凸状部4的下表面、即顶面44处直到旋转台2表面的高度h例如也可以为0.5mm~10mm,优选约为4mm。在这种情况下,旋转台2的转速例如被设定为1rpm~500rpm。因此,为了确保分离区域D分离功能,与旋转台2的转速相应地,例如根据实验等来设定凸状部4的尺寸、凸状部4的下表面(第一顶面44)与旋转台2表面的高度h。另外,作为分离气体,并不限于氮(N₂)气,也能够采用氩(Ar)气等惰性气体,但并不限定于该气体,也可以是氢(H₂)气等,只要是不影响成膜处理的气体,气体的种类就有没有特别的限定。xa0另一方面,如图4及图8所示,在顶板11的下表面,沿着芯部21的固定旋转台2的外周面且与该外周面相对于地设有突出部5。该突出部5与凸状部4连续地形成,其下表面形成在与凸状部4的下表面(顶面44)相同的高度。图2及图3在比上述顶面45低且比分离气体喷嘴41、42高的位置水平剖切顶板11而进行表示。另外,突出部5和凸状部4并不一定限定为一体,也可以分体。xa0另外,在构成凸状部4的一张扇形平板的中央形成有沟部43,在该沟部43内配置分离气体喷嘴41(42)来构成分离区域D,但xa0并不限于此,也可以通过将两张扇形平板在分离气体喷嘴41(42)的两侧位置通过螺栓紧固等固定在顶板11的下表面来构成分离区域D。xa0如上所述,真空容器1的顶板11的下表面、即与旋转台2相对的顶面,包括在圆周方向上交互存在的第一顶面44和比该顶面44高的第二顶面45,在图1中表示设有较高的顶面45的区域的纵剖面。如图2所示,扇形的凸状部4的周缘部(真空容器1的外缘侧部位)弯曲成L字型,具有埋入旋转台2的外端面与容器主体12的内周面之间的空间内的弯曲部46。扇形的凸状部4设置在顶板11侧,其能够自容器主体12拆卸,因此,在上述弯曲部46的外周面与容器主体12的内周面之间稍稍存在间隙。该弯曲部46也与凸状部4同样地以防止反应气体从两侧进入,防止两反应气体混合为目的而设置,弯曲部46的内周面与旋转台2的外端面的间隙、及弯曲部46的外周面与容器主体12的间隙例如被设定为与顶面44离开旋转台2表面的高度h相同的尺寸。在该例子中,能够从旋转台2的表面侧区域看到弯曲部46的内周面构成真空容器1的内周壁。xa0容器主体12的内周面在分离区域D处接近上述弯曲部46的外周面,在第一处理区域P1和第二处理区域P2处,如图1所示,例如是从与旋转台2的外端面相对的部位到底部14向外凹陷。以下,将该凹陷部分的与第一处理区域P1和第二处理区域P2相连通的区域分别称作第一排气区域E1和第二排气区域E2。如图1及图3所示,在第一排气区域E1的底部形成有排气口61,在第二排气区域E2的底部形成有排气口62。如图1所示,这些排气口61、62分别借助排气管63连接于真空排气部件、例如共用的真空泵64。另外,在图1中,附图标记65是压力调整部,在每个排气管63上均设有该压力调整部。xa0在本实施方式中,为了可靠地发挥分离区域D的分离作用,如图3所示,在俯视时排气口61、62设置在分离区域D的旋转方向两侧。详细地讲,第一排气口61形成于第一处理区域P1和在旋转台2的旋转方向下游侧与该第一处理区域P1相邻的分离区域D之间,第二排气口62形成于第二处理区域P2和在旋转台2的旋转方向下游侧与该第二处理区域P2相邻的分离区域D之间。由此,排气口61能够主要用于排出BTBAS气体,排气口62能够主要用于排出O₃气体。在本例子中,一个排气口61设置在第一反应气体喷嘴31和在旋转方向下游侧与该反应气体喷嘴31相邻的分离区域D的靠第一反应气体喷嘴31侧的缘的延长线之间,并且另一个排气口62设置在第二反应气体喷嘴32和在上述旋转方向下游侧与该反应气体喷嘴32相邻的分离区域D的靠第一反应气体喷嘴32侧的缘的延长线之间。即,第一排气口61设置在图3中单点划线所示的直线L1与直线L2之间,该直线L1经过旋转台2的中心和第一处理区域P1,该直线L2经过旋转台2的中心和与上述第一处理区域P1的下游侧相邻的分离区域D的上游侧的缘,第二排气口62位于图3中双点划线所示的直线L3与直线L4之间,直线L3经过旋转台2的中心和第二处理区域P2,直线L4经过旋转台2的中心和与上述第二处理区域P2的下游侧相邻的分离区域D的上游侧的缘。xa0在本实施方式中,设有两个排气口61、62,但在其他实施方式中,例如也可以设置三个以上的排气口。另外,在本实施方式中,排气口61、62通过设置在比旋转台2低的位置,以从容器主体12的内周面与旋转台2的周缘之间的间隙中排气,但并不限定于设置在容器主体12的底部,也可以设置在容器主体12的侧壁。并且,排气口61、62在设置于真空容器1的侧壁的情况下,也可以设置在比旋转台2高的位置。通过这样地设置排气口61、62,旋转台2上的气体朝向旋转台2的外侧流动,因此,与从和旋转台xa02相对的顶面排气的情况相比,从能够抑制微粒扬起的观点来看较为有利。xa0在上述旋转台2的周缘附近的下方侧,为了划分从旋转台2的上方空间到排气区域E的气氛和旋转台2的下方区域的气氛,沿着旋转台2的周缘部在整个圆周方向上设有阻隔构件71。该阻隔构件71的上缘向外侧弯曲而形成为凸缘形状,减小该弯曲面与旋转台2的下表面之间的间隙来抑制气体从外方进入到阻隔构件71内。xa0旋转台2的下方区域中的靠近旋转中心的部位处的底部14接近旋转台2的下表面的中心部附近以及芯部21,在底部14与中心部附近之间以及在底部14与芯部21之间形成有狭小的空间。并且贯穿该底部14的旋转轴22的贯穿孔中,其内周面与旋转轴22的间隙也较窄,这些狭小的空间与上述壳体20内相连通。而且,在上述壳体20中设有用于向上述狭小空间内供给作为吹扫气的N₂气体来进行吹扫的吹扫气供给管72。在真空容器1的底部14,在旋转台2的下方侧位置处的圆周方向上的多个部位还设有用于对该旋转台2的下方区域进行吹扫的吹扫气供给管73。xa0通过这样地设置吹扫气供给管72、73,像图8中以箭头表示吹扫气的流动那样,利用N₂气体吹扫从壳体20内到旋转台2的下方区域的空间,该吹扫气穿过旋转台2与阻隔构件71之间的间隙经由排气区域E被排出到排气口61、62。由此,能够防止BTBAS气体或O₃气体从上述第一处理区域P1和第二处理区域P2中的一个区域经由旋转台2的下方流到另一侧,因此,该吹扫气也起到分离气体的作用。xa0并且,如图8所示,在真空容器1的顶板11的中心部还连接有分离气体供给管51。自该分离气体供给管51向顶板11与芯部21之间的空间52中供给作为分离气体的N₂气体。供给到该空间52xa0中的分离气体穿过上述突出部5与旋转台2之间的狭小间隙50,沿着旋转台2的晶圆载置区域侧的表面朝向周缘喷出。由于在由该突出部5围成的空间中充满分离气体,因此,防止反应气体(BTBAS气体及O₃气体)在第一处理区域P1与第二处理区域P2之间经由旋转台2的中心部混合。即,本实施方式的成膜装置可以说包括由旋转台2的旋转中心部和顶板11划分的中心部区域C,该中心部区域C为了分离第一处理区域P1和第二处理区域P2的气氛而形成有喷出口,该喷出口沿旋转方向吹扫分离气体,并向该旋转台2的表面喷出分离气体。另外,这里所说的喷出口相当于突出部5与旋转台2之间的狭小空间50。xa0如图2、图3所示,在真空容器1的侧壁上还形成有输送口15,该输送口15用于在外部的输送臂10与旋转台2之间交接作为基板的晶圆W,该输送口15利用未图示的闸阀打开或关闭。另外,旋转台2中的作为晶圆载置区域的凹部24在临近该输送口15的位置、在其与输送臂10之间交接晶圆W,因此,在旋转台2的下方侧,与该交接位置对应的部位设有交接用的升降销及其升降机构(均未图示),该交接用的升降销贯穿凹部24而用于从背面抬起晶圆W。xa0在本实施方式的成膜装置中,还设有用于控制整个装置动作的由计算机构成的控制部100,在该控制部100的存储器内存储有用于进行后述的成膜处理及改性处理的程序。该程序为了执行后述的装置动作而编入有步骤组,其自硬盘、光盘、光磁盘、存储卡、磁盘等存储介质安装在控制部100中。xa0接着,说明上述实施方式的作用。首先,打开未图示的闸阀,利用输送臂10将晶圆W从外部经由输送口15交接到旋转台2的凹部24内。在凹部24停止在临近输送口15的位置时,未图示的升降销自真空容器的底部侧经由凹部24底面的贯穿孔升降,从而进行xa0该交接。使旋转台2间歇地旋转来进行这样的晶圆W的交接,从而将晶圆W分别载置在旋转台2的五个凹部24内。接着,关闭闸阀,利用真空泵64将真空容器1排气至能够达到的压力状态之后,以规定流量从分离气体喷嘴41、42喷出作为分离气体的N₂气体,也以规定流量从分离气体供给管51及吹扫气供给管72、73喷出N₂气体,并且利用压力调整部65将真空容器1内调整为预先设定的处理压力。并且使旋转台2顺时针旋转。然后,自反应气体喷嘴31、32分别喷出BTBAS气体和O₃气体,并且例如以67J/cm²的能量密度自电源204向激光照射部201供给能量,从激光照射部201朝向旋转台2照射激光,使得晶圆W的表面瞬间达到例如800°C。xa0在晶圆W由于旋转台2的旋转而达到第一处理区域P1时,BTBAS气体吸附在晶圆W的表面。接着,在第二处理区域P2中,O₃气体接触于晶圆W的表面。该O₃气体通过自排气口62排气或者随着旋转台2的旋转而与晶圆W一同流通到下游侧。然后,在晶圆W和O₃气体到达照射区域P3时,晶圆W的表面瞬间被加热到800°C,因此,如图9所示,O₃气体与吸附在晶圆W上的BTBAS气体发生反应,即,BTBAS气体被氧化而形成一层或多层的氧化硅膜的分子层。xa0在不利用激光加热而是例如利用加热器等将晶圆W加热到例如350°C左右的情况下,残留有例如BTBAS的残留基,存在膜中含有例如水分(OH基)、有机物等杂质的情况。但是,通过使用激光将晶圆W的表面瞬间加热到如上所述的较高温度,在生成氧化硅膜的同时,自该氧化硅膜放出上述杂质,或者氧化硅膜内的元素再排列而实现氧化硅膜的致密化(高密度化)。可以说,借助激光,同时进行成膜处理和氧化硅膜的改性处理。因而,与利用以往的ALD方法成膜的情况相比,该氧化硅膜致密化而对于湿蚀xa0刻具有高的抗性。另外,与氧化硅膜一同生成的副生成物与N₂气体、O₃气体一同朝向排气口62被排出。xa0由于晶圆W这样地通过形成为带状的照射区域P3,在整个面内进行氧化硅膜的成膜处理和改性处理。于是,通过旋转台2的旋转来进行BTBAS气体的吸附、O3气体的吸附、成膜处理(BTBAS气体被O3气体氧化)及改性处理,依次层叠氧化硅膜,从而在晶圆W的整个面内、并且在膜厚方向上形成致密且相对于湿蚀刻的抗性较高的薄膜。xa0此时,在第一处理区域P1与第二处理区域P2之间的分离区域D供给N₂气体,而且,在中心部区域C中也供给作为分离气体的N₂气体,因此,如图10所示,为了使BTBAS气体和O₃气体不混合而排出各气体。另外,在分离区域D中,弯曲部46与旋转台2的外端面之间的间隙如上所述地较窄,因此,BTBAS气体和O₃气体也不会经由旋转台2的外侧混合。因而,第一处理区域P1的气氛和第二处理区域P2的气氛完全分离,BTBAS气体被排出到排气口61,O₃气体被排出到排气口62。其结果,BTBAS气体和O₃气体不论在气氛中还是在晶圆W上都不会混合。xa0另外,在该例子中,容器主体12的沿着配置有反应气体喷嘴31、32的第二顶面45的下方侧空间的侧壁向外侧凹陷而形成宽阔的空间,由于排气口61、62位于该宽阔空间的下方,因此,与第一顶面44的下方侧的狭窄空间及上述中心部区域C的各自压力相比,第二顶面的下方侧空间的压力较低。xa0另外,由于利用N2气体吹扫旋转台2的下方侧,因此,不必担心流入到排气区域E的气体穿过旋转台2的下方侧,例如BTBAS气体流入到O3气体的供给区域中。xa0在此记载处理参数的一个例子,在将300mm直径的晶圆W作为被处理基板的情况下,旋转台2的转速例如为1rpm~500rpm,xa0处理压力例如为1067Pa(8Torr),BTBAS气体及O₃气体的流量例如分别为100sccm和10000sccm,来自分离气体喷嘴41、42的N₂气体的流量例如为20000sccm,来自真空容器1的中心部的分离气体供给管51的N₂气体的流量例如为5000sccm。另外,相对于一片晶圆W的反应气体供给的循环数、即晶圆W分别通过处理区域P1、P2及照射区域P3的次数与目标膜厚相应地改变,但例如为1000次。xa0采用上述实施方式,使旋转台2旋转而使BTBAS气体吸附在晶圆W上,接着,向晶圆W的表面供给O₃气体,使吸附在晶圆W表面的BTBAS气体氧化而形成氧化硅膜,在这个过程中,作为用于加热晶圆W而生成氧化硅膜(反应生成物)的加热部,采用从旋转台2的内周侧到外周侧以带状照射激光的激光照射部201。由此,能够将晶圆W的表面瞬间加热,因此,例如与利用加热器等加热旋转台2上的全部晶圆W的情况相比,能够将用于生成反应生成物的消耗能量抑制得较小。由此,能够抑制来自加热部(加热器)的辐射热量,因此,能够省略或简化用于将真空容器1内、整个装置冷却下来的冷却机构。此时,激光的光路(照射区域P3)形成为带状,但通过旋转台2的旋转,晶圆W能够通过该区域P3而在使激光照射于晶圆W的整个面,因此,例如与向晶圆W的整个表面一次性照射面状激光的情况相比,能够抑制消耗能量。另外,由于利用激光将晶圆W的表层(表面)瞬间加热到高温,同时进行成膜处理和改性处理,因此,能够得到致密且杂质较小、并且相对于湿蚀刻的抗性较大的薄膜。另外,由于利用激光照射部201将晶圆W的表层瞬间加热,因此,例如与通过退火处理将整个晶圆W加热来进行改性处理的情况相比,能够将对晶圆W的热损伤抑制得较小。xa0另外,由于利用激光同时进行成膜处理和改性处理,因此,xa0改性处理连同成膜处理的循环一同进行。即,改性处理不影响成膜处理。此外,与例如在完成形成薄膜之后进行改性处理相比,能够在更短时间内进行改性处理。xa0并且,例如在晶圆W的表面形成图案的情况下,通过采用激光作为用于加热晶圆W的加热部,能够使激光到达图案内部而在整个面内进行均质的成膜处理和改性处理。xa0另外,本实施方式的成膜装置在旋转台2的旋转方向上配置多个晶圆W,使旋转台2旋转而使它们按顺序通过第一处理区域P1和第二处理区域P2地进行所谓的ALD(或者MLD),因此,能够以较高的生产率进行成膜处理。而且,在上述旋转方向上,第一处理区域P1与第二处理区域P2之间设有包括较低顶面的分离区域D,并且,从由旋转台2的旋转中心部和真空容器1划分出得中心部区域C朝向旋转台2的周缘喷出分离气体,反应气体与扩散到上述分离区域D两侧的分离气体和从上述中心部区域C喷出的分离气体一同经由旋转台2的周缘与真空容器的内周面之间的间隙被排出,因此,能够防止两反应气体混合,其结果,能够进行良好的成膜处理,能完全或极力抑制在旋转台2上产生反应生成物,从而能抑制产生微粒。另外,本发明也能够应用于在旋转台2上载置一片晶圆W的情况。xa0作为用于成膜上述反应生成物的处理气体,作为第一反应气体,可以采用以下气体:DCS[二氯硅烷]、HCD[六氯乙硅烷]、TMA[三甲基铝]、3DMAS[三(二甲氨基)硅烷]、TEMAZ[四(二乙基氨基)锆]、TEMAH[四(二乙基氨基)铪]、Sr(THD)2[双(四甲基庚二酮酸)锶]、Ti(MPD)(THD)[(甲基戊二酮酸)双(四甲基庚二酮酸)钛]、单氨硅烷等,作为使这些原料氧化的氧化气体的第二反应气体可以采用水蒸气等。也可以将本发明的实施方式的成膜装置用于如下处理,即,例如使用含有Si的第一反xa0应气体(例如二氯甲硅烷)和含有N的第二反应气体(例如氨气)来形成SiN膜。xa0在上述实施方式中,利用一个激光照射部201来进行成膜处理和改性处理,但例如也可以沿着旋转台2的旋转方向并列配置多个、例如两个该激光照射部201。在这种情况下,也可以改变各个激光照射部201的光源202(激光的照射波长)。具体地讲,也可以构成为如下方式,多个激光照射部201中的、例如旋转台2的旋转方向上游侧(输送口15侧)的一个激光照射部201为了仅进行成膜处理而能够照射红外区域、例如半导体激光器的激光,该一个激光照射部201的下游侧(第一反应气体喷嘴31侧)的另一个激光照射部201为了仅进行改性处理或者同时进行成膜处理和改性处理而能够照射紫外区域、例如准分子激光器的激光。即,在300°C~500°C下形成的SiO2膜(氧化硅膜)有时含有很多OH基的情况,该OH基是导致膜质恶化的主要原因之一。该O-H键的键离解能为424~493kJ/mol(4.4~5.1eV),该键离解能相当于240~280nm的紫外光的能量。因而,通过向晶圆W照射该紫外区域的激光,能够降低或除去膜中的OH基。在这种情况下,利用上述一个(红外区域)的激光照射部201,以比上述实施方式的能量密度小的能量密度、例如30J/cm2进行成膜处理,利用另一个(紫外区域)的激光照射部201,照射波长例如为248nm的KrF激光来进行改性处理。即,对于多个激光照射部201,分别调整激光的光源202和激光照射部201的能量密度,从而分别进行成膜处理和改性处理。在这种情况下,也能得到与上述实施方式同样的效果。xa0并且,作为成膜时的氧源供给的O₃气体通过其热分解产生活性氧(产生O[3P]),该活性氧成为BTBAS气体的氧化种。在此,通过在供给O₃气体的同时照射紫外激光、例如波长248nm的KrFxa0激光,能够产生反应(氧化)速度远远高于O[3P]的活性氧(O[1D])。因此,通过采用紫外激光,能够迅速地生成(使BTBAS气体氧化)SiO₂膜。因而,通过照射能量更高的短波长的激光、例如Xe₂准分子激光(波长:172nm),能够不由O₃气体、而是由O₂气体直接产生活性氧(O[3P]、O[1D]),因此,不需要O₃气体的供给装置(臭氧发生器),能够降低装置成本。此时,也可以替代紫外区域的激光而设置准分子灯。xa0另外,在本实施方式中,利用激光照射部201进行成膜处理和改性处理,但在其它实施方式中,也可以利用等离子单元进行改性处理。在这种情况下,利用红外的激光照射部201,以例如以38J/cm²的能量密度向照射区域照射激光,将晶圆W瞬间加热到例如450°C;另一方面,为了以化学方式使成膜的膜改性,在红外的激光照射部201和比红外的激光照射部201靠旋转台2的旋转方向的下游侧的分离区域D之间配置等离子单元。另外,在成膜薄膜之后另外在外部的退火装置中进行退火处理(改性处理)的情况下,也可以同样地在激光照射部201中仅进行成膜处理。在这种情况下,与设置用于对旋转台2上的五片晶圆W进行加热的加热器的情况相比,能够将装置的消耗能量抑制得较低。xa0并且,也可以设置用于加热旋转台2上的全部晶圆W的加热器,利用该加热器进行成膜处理。参照图11说明该例子,在旋转台2与真空容器1的底部14之间的空间中,在整个圆周方向上设有作为加热部的加热器单元7,隔着旋转台2将旋转台2上的晶圆W加热到由处理制程程序决定的温度、例如450°C。另外,在该例子中,作为光源202(激光的波长)及激光照射部201的能量密度,分别与进行成膜处理和改性处理的情况进行同样地设定。xa0在这种情况下,在第二处理区域P2中,利用O₃气体使吸附在晶圆W表面的BTBAS气体氧化而生成氧化硅膜。然后,在该氧化xa0硅膜中含有杂质的情况下,在照射区域P3中,自膜中排出杂质而进行改性处理。在这种情况下,与仅使用加热器单元7进行成膜处理和改性处理的情况相比,能够抑制消耗能量。即,利用激光照射部201进行成膜处理和改性处理中的至少一种处理即可。另外,也可以利用加热器单元7及激光照射部201仅进行成膜处理。xa0另外,在上述例子中,作为激光照射部201,使用光学构件203将从一个光源202照射来的激光以带状扩张成梯形,但既可以将照射区域P3形成为从旋转台2的中心侧朝向外周侧扩宽的扇形,也可以将照射区域P3形成为线状或面状(例如与晶圆W相同直径的圆)。另外,也可以将多个光源202和光学构件203从旋转台2的内周侧排列到外周侧,另外,也可以使用一个光源202,并且,在照射区域P3的下方位置使晶圆W停止,使用未图示的反射镜使激光从旋转台2的内周侧扫描到外周侧,接着,使晶圆W稍稍移动而再次扫描激光,依次重复晶圆W的移动和激光的扫描,向整个面内照射激光。并且,也可以配置波长不同的多个光源202,例如与形成的膜种类等相应地改变激光的波长(激励材料)。作为该激光照射部201的设置位置,如上所述地在第二反应气体喷嘴32与旋转台2的旋转方向上的第二反应气体喷嘴32下游侧的分离区域D的旋转方向上游侧的缘之间即可,但例如也可以配置在第二反应气体喷嘴32的上方位置。xa0而且,如图12(a)、图12(b)中以上述分离气体喷嘴41为代表地所示,在将例如300mm直径的晶圆W作为被处理基板的情况下,用于形成分别位于上述分离气体喷嘴41(42)的两侧的狭窄空间的上述第一顶面44优选为,其在晶圆W的中心WO所经过的部位沿着旋转台2的旋转方向的宽度尺寸L为50mm以上。为了有效地阻止反应气体从凸状部4的两侧进入到该凸状部4的下方(狭窄空间),在上述宽度尺寸L较短的情况下,与其相对应,第xa0一顶面44与旋转台2之间的距离也需要减小。并且,在将第一顶面44与旋转台2之间的距离设定为某一尺寸时,越远离旋转台2的旋转中心,旋转台2的速度越快,因此,越远离旋转中心,为了获得反应气体的进入阻止效果所要求的宽度尺寸L越长。从这个方面考虑,在晶圆W的中心WO所经过的部位的上述宽度尺寸L小于50mm时,需要很大程度地减小第一顶面44与旋转台2的距离,因此,为了防止在使旋转台2旋转时旋转台2或者晶圆W与顶面44冲撞,要求设法极力抑制旋转台2抖动。另外,旋转台2的转速越高,反应气体越易于从凸状部4的上游侧进入到该凸状部4的下游侧,因此,在使上述宽度尺寸L小于50mm时,必须降低旋转台2的转速,在生产率方面来说并非上策。因而,宽度尺寸L优选为50mm以上,但也并不是说,在50mm以下就无法获得本发明的效果。即,上述宽度尺寸L优选为晶圆W的直径的1/10~1/1,更优选为约1/6以上。另外,在图12(a)中,为了便于图示,省略记载凹部24。xa0另外,本发明为了在分离气体喷嘴41(42)的两侧形成狭窄空间,需要设置较低的顶面(第一顶面)44,但即使在反应气体喷嘴31、32的两侧也设置同样较低的顶面,使这些顶面连续起来,即,除设有分离气体喷嘴41(42)、反应气体喷嘴31(32)的部位之外,在与旋转台2相对的区域整体设置凸状部4,也能获得同样的效果。从另一种角度考虑,该结构是分离气体喷嘴41(42)的两侧的第一顶面44扩宽至反应气体喷嘴31、32的例子。在这种情况下,分离气体扩散到分离气体喷嘴41(42)的两侧,反应气体扩散到反应气体喷嘴31、32的两侧,两种气体在凸状部4的下方侧(狭窄空间)合流,但这些气体会从排气口61(62)被排出。xa0在以上实施方式中,旋转台2的旋转轴22位于真空容器1的中心部,向旋转台2的中心部与真空容器1的上表面部之间的空间吹xa0扫分离气体,但本发明也可以如图13所示地构成。在图13的成膜装置中,真空容器1的中央区域的底部14向下方侧突出,形成驱动部的收容空间80,并且,在真空容器1的中央区域的上表面形成有凹部80a,在真空容器1的中心部处,在收容空间80的底部与真空容器1的上述凹部80a上表面之间设有支柱81,从而防止来自第一反应气体喷嘴31的BTBAS气体和来自第二反应气体喷嘴32的O₃气体经由上述中心部混合。xa0对于使旋转台2旋转的机构,以包围支柱81的方式设置旋转套筒82,沿着该旋转套筒82设置环状的旋转台2。而且,在上述收容空间80中设置利用电动机83驱动的驱动齿轮部84,利用该驱动齿轮部84,借助形成在旋转套筒82的下部外周上的齿轮部85使该旋转套筒82旋转。附图标记86、87及88是轴承部。另外,在上述收容空间80的底部连接吹扫气供给管74,并且,在真空容器1的上部连接用于向上述凹部80a的侧面与旋转套筒82的上端部之间的空间中供给吹扫气的吹扫气供给管75。在图13中,在左右两处记载有用于向上述凹部80a的侧面与旋转套筒82的上端部之间的空间中供给吹扫气的开口部,但为了不使BTBAS气体在旋转套筒82的附近区域和O₃气体混合,优选设计开口部(吹扫气供给口)的排列数量。xa0在图13的实施方式中,从旋转台2侧看时,上述凹部80a的侧表面与旋转套筒82的上端部之间的空间相当于分离气体喷出孔,于是,由分离气体喷出孔、旋转套筒82及支柱81构成位于真空容器1的中心部的中心部区域。xa0另外,能够应用实施方式的各种反应气体喷嘴的成膜装置并不限定于图1、图2等所示的旋转台型的成膜装置。也可以将本发明的各反应气体喷嘴应用于例如如下这样类型的成膜装置,即,替代旋转台2而在传送带上载置晶圆W,向互相划分出的处理室内xa0输送晶圆W来进行成膜处理,而且,也可以应用于在固定的载置台上载置一片晶圆W来进行成膜的单片式的成膜装置。并且,使旋转台2相对于各反应气体喷嘴31、32及激光照射部201旋转,但也可以使反应气体喷嘴31、32及激光照射部201相对于旋转台2旋转,即,使反应气体喷嘴31、32及激光照射部201和旋转台2相对旋转。在这种情况下,反应气体喷嘴31、32及激光照射部201的旋转方向为相对的旋转方向上游侧。xa0